半橋電路工作原理/電路圖文分享-KIA MOS管

電容器C1和C2與開(kāi)關(guān)管Q1、Q2組成橋，橋的對(duì)角線接變壓器T1的原邊繞組，故稱(chēng)半橋變換器。如果此時(shí)C1=C2，那么當(dāng)某一開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，繞組上的電壓只有電源電壓的一半。

半橋電路的基本拓?fù)潆娐穲D

電路的工作過(guò)程大致如下：

參照半橋電路的基本拓?fù)潆娐穲D，其中Q1開(kāi)通，Q2關(guān)斷，此時(shí)變壓器兩端所加的電壓為母線電壓的一半，同時(shí)能量由原邊向副邊傳遞。

Q1關(guān)斷，Q2關(guān)斷，此時(shí)變壓器副邊兩個(gè)繞組由于整流二極管兩個(gè)管子同時(shí)續(xù)流而處于短路狀態(tài)，原邊繞組也相當(dāng)于短路狀態(tài)。Q1關(guān)斷，Q2開(kāi)通。

此時(shí)變壓器兩端所加的電壓也基本上是母線電壓的一半，同時(shí)能量由原邊向副邊傳遞。副邊兩個(gè)二極管完成換流。

半橋電路中應(yīng)該注意的幾點(diǎn)問(wèn)題

偏磁問(wèn)題

原因：由于兩個(gè)電容連接點(diǎn)A的電位是隨Q1、Q2導(dǎo)通情況而浮動(dòng)的，所以能夠自動(dòng)的平衡每個(gè)晶體管開(kāi)關(guān)的伏秒值，當(dāng)浮動(dòng)不滿(mǎn)足要求時(shí)；

假設(shè) Q1、Q2具有不同的開(kāi)關(guān)特性，即在相同的基極脈沖寬度t=t1下，Q1關(guān)斷較慢，Q2關(guān)斷較快，則對(duì)B點(diǎn)的電壓就會(huì)有影響，就會(huì)有有灰色面積中A1、 A2的不平衡伏秒值，原因就是Q1關(guān)斷延遲。

如果要這種不平衡的波形驅(qū)動(dòng)變壓器，將會(huì)發(fā)生偏磁現(xiàn)象，致使鐵心飽和并產(chǎn)生過(guò)大的晶體管集電極電流，從而降低了變換器的效率，使晶體管失控，甚至燒毀。

在變壓器原邊串聯(lián)一個(gè)電容的工作波形圖

解決辦法：在變壓器原邊線圈中加一個(gè)串聯(lián)電容C3，則與不平衡的伏秒值成正比的直流偏壓將被次電容濾掉，這樣在晶體管導(dǎo)通期間，就會(huì)平衡電壓的伏秒值，達(dá)到消除偏磁的目的。

半橋電路的運(yùn)行原理及注意問(wèn)題

用作橋臂的兩個(gè)電容選用問(wèn)題：

從半橋電路結(jié)構(gòu)上看，選用橋臂上的兩個(gè)電容C1、C2時(shí)需要考慮電容的均壓?jiǎn)栴}，盡量選用C1=C2的電容，那么當(dāng)某一開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，繞組上的電壓只有電源電壓的一半，達(dá)到均壓效果；

一般情況下，還要在兩個(gè)電容兩端各并聯(lián)一個(gè)電阻（原理圖中的R1和R2）并且R1=R2進(jìn)一步滿(mǎn)足要求，此時(shí)在選擇阻值和功率時(shí)需要注意降額。

此時(shí)，電容C1、C2的作用就是用來(lái)自動(dòng)平衡每個(gè)開(kāi)關(guān)管的伏秒值，（與C3的區(qū)別：C3是濾去影響伏秒平衡的直流分量）。

直通問(wèn)題：

所謂直通，就是Q1、Q2在某一時(shí)刻同時(shí)導(dǎo)通的現(xiàn)象，此時(shí)會(huì)構(gòu)成短路。

解決措施：

可以對(duì)驅(qū)動(dòng)脈沖寬度的最大值加以限制，使導(dǎo)通角度不會(huì)產(chǎn)生直通。

還可以從拓?fù)渖辖鉀Q問(wèn)題，才用交叉耦合封閉電路，使一管子導(dǎo)通時(shí)，另一管子驅(qū)動(dòng)在封閉狀態(tài)，直到前一個(gè)管子關(guān)斷，封閉才取消，后管才有導(dǎo)通的可能，這種自動(dòng)封鎖對(duì)存儲(chǔ)時(shí)間、參數(shù)分布有自動(dòng)適應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)，而且對(duì)占空比可以滿(mǎn)度使用的。

副邊為全波電路

副邊為全橋電路

半橋電路的驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)：

1、上下橋臂不共地，即原邊電路的開(kāi)關(guān)管不共地。

2、隔離驅(qū)動(dòng)。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。