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用PMOS實現LED恒流驅動芯片的通斷控制-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-06-24 

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用PMOS實現LED恒流驅動芯片的通斷控制-KIA MOS管


MOS管 驅動 通斷控制

電路原理:

1、QX7135E33為330mA線性LED恒流驅動芯片,無使能端。

2、利用PMOS控制QX7135的電源通斷,實現使能功能。


原理說明:

1、控制電源開關的輸入信號 Control 為低電平或高阻時,三極管Q2的基極被拉低到地,為低電平,Q2不導通,進而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不導通,+5V_OUT 無輸出。


電阻R4是為了在 Control 為高阻時,將三極管Q2的基極固定在低電平,不讓其浮空。


帶軟開啟功能的MOS管電源開關電路

MOS管 驅動 通斷控制


2、當電源 +5V_IN 剛上電時,要求控制電源開關的輸入信號 Control 為低電平或高阻,即關閉三極管Q2,從而關閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩定,不能將電源打開向后級電路輸出。


此時等效電路圖如下。

MOS管 驅動 通斷控制


此時電源 +5V_IN 剛上電,使MOS管G極與S極等電勢,即Vgs = 0,令Q1關閉。


3、電源 +5V_IN 上電完成后,MOS管G極與S極兩端均為5V,仍然Vgs = 0。


4、此時將 Control 設為高電平(假設高電平為3.3V),則:

MOS管 驅動 通斷控制


①三極管Q2的基極為0.7V,可算出基極電流Ibe為:

(3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA


②三級管Q2飽和導通,Vce ≈ 0。電容C1通過電阻R2充電,即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V,導致Vgs電壓逐漸增大。


③MOS管Q1的Vgs緩慢增大,令其緩慢打開直至完全打開。最終Vgs = -5V。


④利用電容C1的充電時間實現了MOS管Q1的緩慢打開(導通),實現了軟開啟的功能。


MOS管打開時的電流流向如下圖所示:

MOS管 驅動 通斷控制


5、電源打開后,+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時將 Control 設為低電平,三極管Q2關閉,電容C1與G極相連端通過電阻R2放電,電壓逐漸上升到5V,起到軟關閉的效果。


軟關閉一般不是我們想要的,過慢地關閉電源,可能出現系統不穩定等異常。過程如下圖。


MOS管 驅動 通斷控制


一般情況下還是放心使用軟啟動功能,伴隨而來的軟關閉效果一般沒什么影響。


電路參數設定說明:

調整C1、R2的值,可以修改軟啟動的時間。值增大,則時間變長。反之亦然。



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