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單片機直接驅動MOS管的風險分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-06-22 

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單片機直接驅動MOS管的風險分析-KIA MOS管


MOS管是電壓驅動的元器件,通常被用作較大功率的電子開關,來控制直流負載回路的通斷。 MOS管可以分為NMOS和PMOS,具有三個電極,分別為: 1)門極G; 2)源極S; 3)漏極D。 其中門極為控制端,源極S和漏極D為輸出端。


MOS管的控制方式 

MOS管通過GS之間的電壓VGS來控制通斷,NMOS和PMOS的控制方式不一樣,如下: NMOS的控制方式 NMOS的VGS > Vth時,NMOS導通,用單片機控制NMOS時,單片機輸出高電平可以控制NMOS管的導通,單片機輸出低電平時NMOS管關斷。 


控制電路如下圖所示:

單片機 驅動 MOS管


PMOS的控制方式 PMOS的VGS用單片機控制PMOS時,單片機輸出低電平,PMOS導通;單片機輸出高電平時,PMOS截止關斷。


控制電路如下圖所示:

單片機 驅動 MOS管


單片機直接控制MOS管的應用風險

單片機的供電為5V或者3.3V,而且以3.3V居多,MOS管的Vth一般在(2-5)V,用單片機可以直接控制。對于過電流能力較強大功率MOS管而言,Vth的值可能更大。 這時候用單片機就不能直接控制了。


實際上,為了使MOS管更穩定的工作,我們一般會用三極管來控制MOS管,因為三極管是流控型的器件,單片機驅動三極管更為合適。 


下圖是單片機通過三極管控制NMOS的電路圖:

單片機 驅動 MOS管


單片機輸出高電平時,三極管導通,NMOS的G極為低電平,NMOS截止關斷; 單片機輸出低電平時,三極管截止,G極為高電平,NMOS導通。這樣可以有效的避免單片機輸出的電平無法滿足VTH的情況。


MOS管在選型的時候,ID電流,耐壓值是一定要考慮的參數,而VTH往往被忽略,這可能就會導致用單片機直接驅動MOS而不導通的情況。


另外,還需要注意的是,NMOS和PMOS在做開關時導通方向不一樣,負載所接的位置也不一樣。



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