MOS管知識-MOS晶體管的恒流性偏移詳細(xì)分析-KIA MOS管

MOS晶體管的恒流性偏移

MOS晶體管斬波器的恒流性偏移可分如下兩種。

（1）尖峰電流(驅(qū)動電壓源通過極間電容的靜電感應(yīng)電流)

（2）抽運(yùn)電流

MOS晶體管的恒流性偏移：以上兩種成分均與驅(qū)動頻率成正比，在這一點上是相似的，但其極性相互抵銷;另外，與驅(qū)動電壓的關(guān)系也不同，所以不能作為一類進(jìn)行討論。現(xiàn)以并聯(lián)型斬波器電路為例，試求尖峰的大小。

圖2.117為并聯(lián)型斬波器電路，等效電路如同圖(b )所示。方波驅(qū)動電壓經(jīng)極間電容CGD微分，其在漏側(cè)的輸出電壓如圖(C )所示,呈現(xiàn)按指數(shù)函數(shù)衰減的脈沖波形。斬波器由導(dǎo)通轉(zhuǎn)換到關(guān)斷的瞬間所產(chǎn)生的尖峰的時間常數(shù)很大，由關(guān)斷轉(zhuǎn)換為導(dǎo)通的時間常數(shù)就很小，所以兩個尖峰的面積，亦即對時間的積分值，前者比后者要大得多。

MOS晶體管的恒流性偏移：前者稱為關(guān)斷尖峰的面積，后者稱為導(dǎo)通尖峰的面積。這些尖峰經(jīng)交流放大器放大后通過同步檢波電路(包括檢波后面的低通濾波器)變換成直流。另一方面，直流輸入信號經(jīng)斬波器變成方波后也同樣被解調(diào)成直流。從而尖峰所引起的直流偏移的大小，須將同步檢波輸出信號除以直流增益而求得。同步檢波電路的檢波效率，根據(jù)不同的電路結(jié)構(gòu)。

尖峰和方波信號的往往不一樣，所以只知道斬波器輸入電路中產(chǎn)生的尖峰波形，不可能求得其直流偏移的換算值。因此，一般是將同步檢波電路理想化，對尖峰與對方波信號一樣，取一個周期內(nèi)的平均值作為直流偏移的換算值。這種方法對很多同步檢波電路，可得到大致正確的結(jié)果。

MOS晶體管的恒流性偏移

MOS晶體管的恒流性偏移：由圖2.117(C)可知，并聯(lián)斬波器電路中的關(guān)斷尖峰與信號源電阻成正比，導(dǎo)通尖峰與斬波器的導(dǎo)通電阻成正比，所以關(guān)斷尖峰的面積較大，其直流偏移換算值如下。

與驅(qū)動頻率f、驅(qū)動電壓幅度E、極間電容CGD以及信號源電阻Rg成正比。由于尖峰脈沖與Rg成正比,屬于恒流性偏移源。f、Rg由于電路性能的關(guān)系，不能隨意降低，MOS場效應(yīng)晶體管作斬波器用時要補(bǔ)償從導(dǎo)通到關(guān)斷的工作，E也不能降低到必要的幅度以下，所以為了降低這種偏移，應(yīng)加接其它電容來抵銷掉CGD的影響。

MOS晶體管的恒流性偏移