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電源mos管驅動電路如何選型 電源mos管優質品牌推薦-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-08-19 

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電源mos管驅動電路如何選型 電源mos管優質品牌推薦

電源mos管,選擇到一款正確的MOS管,可以很好地控制生產制造成本,最為重要的是,為產品匹配了一款最恰當的元器件,這在產品未來的使用過程中,將會充分發揮其“螺絲釘”的作用,確保設備得到最高效、最穩定、最持久的應用效果。今天分享一下電源mos管驅動電路如何選型,請看下文詳情。


1、電源IC直接驅動MOSFET

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圖1 IC直接驅動MOSFET

電源IC直接驅動是我們最常用的驅動方式,同時也是最簡單的驅動方式,使用這種驅動方式,應該注意幾個參數以及這些參數的影響。第一,查看一下電源IC手冊,其最大驅動峰值電流,因為不同芯片,驅動能力很多時候是不一樣的。


第二,了解一下MOSFET的寄生電容,如圖1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大,MOS管導通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒有比較大的驅動峰值電流,那么管子導通的速度就比較慢。如果驅動能力不足,上升沿可能出現高頻振蕩,即使把圖 1中Rg減小,也不能解決問題! IC驅動能力、MOS寄生電容大小、MOS管開關速度等因素,都影響驅動電阻阻值的選擇,所以Rg并不能無限減小。


2、電源IC驅動能力不足時

如果選擇MOS管寄生電容比較大,電源IC內部的驅動能力又不足時,需要在驅動電路上增強驅動能力,常使用圖騰柱電路增加電源IC驅動能力,其電路如圖 2虛線框所示。

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圖2 圖騰柱驅動MOS


這種驅動電路作用在于,提升電流提供能力,迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間,但是減少了關斷時間,開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。


3、驅動電路加速MOS管關斷時間

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圖3 加速MOS關斷


關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關管能快速關斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅動電阻上并聯一個電阻和一個二極管,如圖3所示,其中D1常用的是快恢復二極管。這使關斷時間減小,同時減小關斷時的損耗。Rg2是防止關斷的時電流過大,把電源IC給燒掉。

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圖4 改進型加速MOS關斷


在第二點介紹的圖騰柱電路也有加快關斷作用。當電源IC的驅動能力足夠時,對圖2中電路改進可以加速MOS管關斷時間,得到如圖4所示電路。用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發射極沒有電阻,當PNP三極管導通時,柵源極間電容短接,達到最短時間內把電荷放完,最大限度減小關斷時的交叉損耗。與圖3拓撲相比較,還有一個好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經過電源IC,提高了可靠性。


4、驅動電路加速MOS管關斷時間

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圖5 隔離驅動


為了滿足如圖5所示高端MOS管的驅動,經常會采用變壓器驅動,有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。


5、當源極輸出為高電壓時的驅動

當源極輸出為高電壓的情況時,我們需要采用偏置電路達到電路工作的目的,既我們以源極為參考點,搭建偏置電路,驅動電壓在兩個電壓之間波動,驅動電壓偏差由低電壓提供,如下圖6所示。

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圖6 源極輸出為高電壓時的驅動電路


除了以上驅動電路之外,還有很多其它形式的驅動電路。對于各種各樣的驅動電路并沒有一種驅動電路是最好的,只有結合具體應用,選擇最合適的驅動。


電源mos管廠家介紹

深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。

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KIA半導體已經擁有了獨立的研發中心,研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案,同時引進多臺國外先進設備,業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統分析、失效分析等領域。

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強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。

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從設計研發到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續創新,永不止步!

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