亚洲日韩中文字幕一区,亚洲视频免费在线观看,亚洲一线产区二线产区精华

MOSFET柵極電壓

信息來源：本站　日期：2017-05-19　

分享到：

漏極電流上升和下降太快會在地線和電源線上引起較大的 Ldi/dt 尖峰電壓并在鄰近的線路或節(jié)點(diǎn)上輯合出大的 CdV/dt j良涌電流。

由此引出的問題是，為了盡可能縮短漏極電流的上升時(shí)間，具體需要多大的柵極電壓上升速度。圖 9.3b和圖 9.3d 的傳輸特性曲線中給出了答案。

對于MOSFET管，漏極電流從0上升到Id的時(shí)間對應(yīng)于柵極電壓從值電壓比上升到 Vg1 的時(shí)間，如圖9.3b所示。柵極電壓從0上升到闕值（約為 2.5V ）的時(shí)間為 MOSFET 管的導(dǎo)通延遲時(shí)間。漏極電流導(dǎo)通速度并不能像雙極型晶體管那樣通過在輸入端施加過驅(qū)動來如速（見8.2節(jié)和圖8.2 (b）。

另外，MOSFET沒有存儲時(shí)間，只存一個(gè)關(guān)斷延遲時(shí)間。關(guān)斷延遲時(shí)間是柵極電壓從最高電壓（約為OV ）下降到電壓 Vd1 圖 9.3 b所需的時(shí)間。在這個(gè)時(shí)間段內(nèi)漏極電流保持不變，當(dāng)柵極電壓下降到 Vd1 時(shí)，MOS管開始關(guān)斷。所以漏極電流F降時(shí)間是柵極電壓從 Vd1下降到闊值比的時(shí)間。

下面討論 MTM7N45 管從關(guān)斷狀態(tài)到漏極電流Id上升到 2.5A 的導(dǎo)通過程。在柵極電壓從ov上升至2.5V的50ns 時(shí)間里，漏極電流Id為 ov ，如圖9.3 b所示。隨后在柵極電壓升到 5V 的過程中，漏極電流Id 將逐漸從 OA 上升至 2.5A 。

因此，若柵極電壓從ov 上升至 IOV 需要 50ns，則漏極電流從 OA 上升至 2.5A 的時(shí)間約為（ 2.5+10 ）×50=12.Sns ，如圖 9.5 所示。這樣，柵極驅(qū)動電壓為 IOV 的MOSFET 管的導(dǎo)通時(shí)間是漏極開路電流導(dǎo)通時(shí)間的 2 3 倍。這是因?yàn)槁O電流的上升時(shí)間僅僅是柵極電壓上升時(shí)間的一小部分。柵極電流只需要為前面計(jì)算值的 3/1，2/1 就可以了。