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MOS管 4665A 7.5A/650V規格書參數、封裝 原廠直銷 免費送樣-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-12-05 

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MOS管 4665A 7.5A/650V規格書參數、封裝 原廠直銷 免費送樣

MOS管原廠簡介

1、品牌:KIA


MOS管,4665A,7.5A/650V


2、KIA半導體官網:www.52yitang.com (歡迎咨詢,KIA半導體專業制造MOS管,會給客戶提供優越的售后技術服務及前期的免費送樣等)


3、KIA公司簡介:深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。


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強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。


KIA半導體從設計研發到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續創新,永不止步!


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MOS管 4665A 7.5A/650V產品簡介

這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這個先進的技術是特別定制的,可將通態電阻降到最低,提供優良的開關性能,能承受雪崩和交換模式下的高能脈沖。這個MOS管非常適合高效率開關電源,有源功率因數校正基于半橋拓撲等。


KIA半導體是提供免費送樣及技術服務的,給客戶提供優質的產品及售后服務,我們產品都是待載168小時持續高溫老化檢測及11項參數檢測的。


MOS管 4665A 7.5A/650V產品特點

7.5A, 650V, RDS(on)typ.=1.1Ω@VGS=10V

低柵極電荷(典型25nC)

耐用度高

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv/dt能力


MOS管 4665A 7.5A/650V產品主要參數

型號:KNF4665A

電流/電壓:7.5A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

單脈沖雪崩能量:230MJ

雪崩電流:7.5A

重復雪崩電壓:21MJ

峰值二極管恢復dv/dt:4.5V/ns


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MOS管 4665A 7.5A/650V產品封裝圖


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MOS管 4665A 7.5A/650V產品規格書詳情

在線查看及下載規格書,請點擊下圖。


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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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