60v電動(dòng)車(chē)控制器mos管選型及代換-可申請(qǐng)樣品及報(bào)價(jià)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-08-14
MOS電流：60V -100V
MOS電壓：80A-160A
TO-252、TO-92 、TO-2247、TO-3PF、TO-220、DFN5*6、DFN3*3、TO-220F、TO-263、TO-263-6L、TO-251、SOP-8、SOT-223、TSSSOP-8；
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MOS管應(yīng)用于大多數(shù)電子設(shè)備，如家電、汽車(chē)電源、充電器、電動(dòng)報(bào)警器MOS管、電動(dòng)車(chē)MOS管耐壓等。再者，它在這些設(shè)備中能夠起到許多作用，比如放大電路、作為可變電阻、作為恒流源及作為電子開(kāi)關(guān)使用。
正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)把電池里的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，從而帶動(dòng)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。剎車(chē)時(shí)將電機(jī)回饋的交流電轉(zhuǎn)化為直流電返回電池。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)電機(jī)是靠MOS的輸出電流來(lái)驅(qū)動(dòng)的，輸出電流越大（為了防止過(guò)流燒壞MOS管，控制器有限流保護(hù)），電機(jī)扭矩就強(qiáng)，加速就有力，所以MOS管在使用中是起到了“心臟”的作用。
它共有這幾種狀態(tài)。開(kāi)通過(guò)程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程、截止?fàn)顟B(tài)、擊穿狀態(tài)。MOS管主要損耗包括開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在MOS管承受規(guī)格之內(nèi)，MOS管即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，尤其是PWM沒(méi)完全打開(kāi)，處于脈寬調(diào)制狀態(tài)時(shí)（對(duì)應(yīng)電動(dòng)車(chē)的起步加速狀態(tài)），而最高急速狀態(tài)往往是導(dǎo)通損耗為主。
我們電動(dòng)車(chē)上用的功率mos和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。而電動(dòng)車(chē)上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。平面型結(jié)構(gòu)是指，mos柵極，源級(jí)和漏級(jí)都在芯片表面（或者說(shuō)正面），而溝道也在芯片表面橫向排列。（我們常見(jiàn)的教科書(shū)的介紹mos原理一般都是拿平面結(jié)構(gòu)介紹）。而功率mos的立體結(jié)構(gòu)（溝道是深槽立體結(jié)構(gòu)）是柵極和源級(jí)引線(xiàn)從芯片正面引出（其實(shí)柵極也不在表面而是內(nèi)部，只是比較靠近表面），而漏級(jí)是從芯片背面引出（其實(shí)整個(gè)芯片背面都是漏級(jí)連接在一起的，整個(gè)個(gè)漏級(jí)用焊接材料直接焊接在金屬板上，就是mos的金屬背板，一般是銅鍍錫的），所以我們見(jiàn)到的mos一般金屬板和中間引腳（就是漏級(jí)）是完全導(dǎo)通的（有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的）。
功率mos內(nèi)部從漏級(jí)到源級(jí)是有一個(gè)二極管的，這個(gè)二極管基本上所有的功率mos都具有，和它本身結(jié)構(gòu)有關(guān)系（不需要單獨(dú)制造，設(shè)計(jì)本身就有）。當(dāng)然可以通過(guò)改變?cè)O(shè)計(jì)制造工藝，不造出這個(gè)二極管。但是這會(huì)影響芯片功率密度，要做到同樣耐壓和內(nèi)阻，需要更大的芯片面積（因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)不同）。大家只是知道這回事就行了。
我們所見(jiàn)的mos管，其實(shí)內(nèi)部由成千上萬(wàn)個(gè)小mos管并聯(lián)而成（實(shí)際數(shù)量一般是上千萬(wàn)個(gè)，和芯片面積和工藝有關(guān)）。如果在工作中，有一個(gè)或幾個(gè)小管短路，則整個(gè)mos表現(xiàn)為短路，當(dāng)然大電流短路mos可能直接燒斷了（有時(shí)表現(xiàn)為金屬板和黑色塑封間開(kāi)裂），又表現(xiàn)為開(kāi)路。大家可能會(huì)想這上千萬(wàn)個(gè)小mos應(yīng)該很容易出現(xiàn)一個(gè)或幾個(gè)壞的吧，其實(shí)真沒(méi)那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。它們的各種開(kāi)關(guān)動(dòng)作幾乎完全一致，當(dāng)然最終燒壞時(shí)，肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導(dǎo)致這些小管的參數(shù)不那么一致。有時(shí)一點(diǎn)小的工藝缺陷（比如一個(gè)1um甚至更小的顆粒如果在關(guān)鍵位置）往往會(huì)造成整個(gè)芯片（缺陷所在的管芯）報(bào)廢。
過(guò)流，大電流引起的高溫?fù)p壞（分持續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導(dǎo)致結(jié)溫超過(guò)承受值）；過(guò)壓，源漏級(jí)大于擊穿電壓而擊穿。柵極擊穿，一般由于柵極電壓受外界或驅(qū)動(dòng)電路損壞超過(guò)允許最高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞。
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