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DTU09N03替代MOS管-MOS管型號規格書下載 封裝 參數詳情-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-07-08 

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DTU09N03替代MOS管KIA50N03A-MOS管型號規格書下載 封裝 參數詳情

DTU09N03替代產品

DTU09N03可用KIA50N03A替代,深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。


KIA50N03A,DTU09N03替代,55A/30V


KIA半導體研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案,同時引進多臺國外先進設備,業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統分析、失效分析等領域。強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。


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從設計研發到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續創新,永不止步!


DTU09N03參數詳情


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DTU09N03封裝引腳圖


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DTU09N03規格書

查看及下載規格書,請點擊下圖。


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MOS管50N03產品特征-KIA50N03A

1、先進的溝槽處理技術


2、高密度超低電阻電池的設計


3、完全確定雪崩電壓和電流


4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A


5、Vds=30V


6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A


7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A


MOS管50N03產品主要參數-KIA50N03A

產品型號:KIA50N03A

工作方式:50A/30V

漏源極電壓:30V

柵源電壓:±20V

連續漏電流:50A

脈沖漏電流 :200A

操作接頭和存儲溫度范圍:-55℃至150℃

結對殼熱阻:1.8℃/W

對周圍環境的電阻:50℃/W


KIA50N03A封裝引腳圖


KIA50N03A,DTU09N03替代,55A/30V


KIA50N03A產品附件

以下為KIA50N03A產品PDF格式的產品詳細資料,查看詳情請點擊下圖。


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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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