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信息來源:本站 日期:2017-05-04 

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結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強型的。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛的是MOS場效應(yīng)管,簡稱MOS管(即金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管,以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。

場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。按溝道半導體材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和MOS管P溝道兩種。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子介入導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子介入導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼乳L處,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強盛競爭者。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。若按導電方式來劃分,場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強型。



MOS場效應(yīng)晶體管因為輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時應(yīng)留意以下規(guī)則:


(1). MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極

(2).掏出的MOS器件不能在塑料板上滑動,應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。

(3).MOS器件出廠時通常裝在玄色的導電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)留意分類,不能隨意互換。

(4). 焊接用的電烙鐵必需良好接地。在檢驗電路時應(yīng)留意查證原有的保護二極管是否損壞。

(7). MOS場效應(yīng)晶體管的柵極在答應(yīng)前提下,最好接入保護二極管。

(5). 在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接,再MOS器件焊接完成后在分開。拆機時順序相反。


(6).電路板在裝機之前,要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子,再把電路板接上去。

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