廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

什么是N溝道MOS管場效應管

信息來源:本站 日期:2017-04-29 

分享到:

N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負離子),故在UCs=0時,這些正離子產生的電場作用下,漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道(稱為初始溝道),只要加上正向電壓UDS,就有電流。假如加上正的UCs,柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的.

N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負離子),故在UCs=0時,這些正離子產生的電場作用下,漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道(稱為初始溝道),只要加上正向電壓UDS,就有電流。假如加上正的UCs,柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,溝道加寬,溝道電阻變小。增大。反之UCs為負時,溝道中感應的電子減少,溝道變窄,溝道電阻變大。減少。當UCS負向增加到某一數值時,導電溝道消失。趨于零,管子截止,故稱為耗盡型。

N溝道耗盡型MOSFET的結構與增強型MOSFET結構類似,只有一點不同,就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時,溝道已經存在。該N溝道是在制造過程中應用離子注入法預先在襯底的表面,在D、S之間制造的,稱之為初始溝道。N溝道耗盡型MOSFET的結構和符號如圖1.(a)所示,它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當VGS=0時,這些正離子已經感應出反型層,形成了溝道。于是,只要有漏源電壓,就有漏極電流存在。當VGS>0時,將使ID進一步增加。VGS<0時,跟著VGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對應ID=0的VGS稱為夾斷電壓,用符號VGS(off)表示,有時也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉移特性.

耗盡型MOS場效應管,是在制造過程中,預先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子,因此,在UGS=0時,這些正離子產生的電場也能在P型襯底中“感應”出足夠的電子,形成N型導電溝道。

當UDS>0時,將產生較大的漏極電流ID。假如使UGS<0,則它將削弱正離子所形成的電場,使N溝道變窄,從而使ID減小。當UGS更負,達到某一數值時溝道消失,ID=0。使ID=0的UGS我們也稱為夾斷電壓,仍用UP表示。UGS

據導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指,當VGS=0時即形成溝道,加上準確的VGS時,能使多數載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉向截止。


聯系方式:鄒先生

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

長按二維碼識別關注

主站蜘蛛池模板: 性猛交xxxxx按摩| 欧美猛交xxxxx| 国产亚洲女在线线精品| 田中瞳中文字幕久久精品| 娇小老少配xxxxx丶| 久久99精品久久久久久园产越南| 欧美一级做一a做片性视频| 人人妻人人澡人人爽欧美精品| 翁止熄痒禁伦短文合集免费视频| 国产成人av在线免播放观看| 18pao国产成视频永久免费| 在线观看欧美日韩| 一区二区三区免费精品视频| 日本a免费观看| 久久精品免看国产| 极品馒头一线天粉嫩| 亚洲欧美久久精品一区| 男人添女人30分钟免费| 午夜精品一区二区三区免费视频 | 80s国产成年女人毛片| 女人18毛片a级毛片免费视频| 中文字幕yellow在线资源| 日本特级淫片免费| 亚州三级久久电影| 欧美在线观看www| 亚洲福利视频一区二区| 男人的j进入女人的p的动态图| 啦啦啦在线观看视频直播免费| 野外三级国产在线观看 | 欧美成人家庭影院| 亚洲福利视频一区二区| 狠狠色丁香久久综合五月| 别揉我胸啊嗯动漫网站| 老司机亚洲精品| 国产丝袜一区二区三区在线观看| 麻麻张开腿让我爽了一夜黄文| 国产熟女乱子视频正在播放| 在线私拍国产福利精品| 国产裸体美女永久免费无遮挡| 99精品国产高清一区二区麻豆| 女人让男人桶30分钟在线视频|