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KIA6N70H規格書 MOS管原廠供應 免費送樣 5.8A/700V-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-19 

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KIA半導體MOS管 6N70產品概述

這種功率MOSFET是KIA半導體使用先進的平面條紋DMOS技術生產的,這個先進的技術是KIA特別定制,以減少對狀態的抵抗,提供優越的開關性能好,能承受雪崩和切換模式下的高能量脈沖。該裝置非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正,基于半橋拓撲。


MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V產品特征

RDS(on)typ =1.8Ω@VGS=10V

低柵電荷

高耐用性

快速切換

雪崩測試100%

提高了dv/dt能力


MOS管 6N70產品封裝圖

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MOS管 6N70 5.8A/700V主要參數

型號:KIA6N70H

工作方式:5.8A/700V

漏源電壓:700V

柵源電壓:±30V

單脈沖雪崩能量:150MJ

雪崩電流:4.8A

重復雪崩能量:9.5MJ

峰值二極管恢復dv/dt:4.5V/ns

漏源擊穿電壓:700V

輸入電容:650pF

輸出電容:95pF

反向轉移電容:10pF


MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V規格書

查看及下載規格書,請點擊下圖。


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