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800V高壓MOS管 10N80 10A/800V原廠供貨-貨源穩(wěn)定 免費(fèi)送樣-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2019-01-09 

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800V高壓MOS管

KIA半導(dǎo)體將推薦一款800V的高壓MOS管給大家,下文將會(huì)有它的具體參數(shù)、封裝等詳細(xì)資料。

KIA半導(dǎo)體也一直執(zhí)行全面質(zhì)量管理體系,是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開(kāi)始,一直貫徹到客戶使用的全過(guò)程質(zhì)量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品,在相關(guān)環(huán)節(jié)的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制,確保提供給客戶的產(chǎn)品是安全可靠的。


800V高壓MOS管KIA10N80H
1.800V高壓MOS管10N80產(chǎn)品描述

這個(gè)功率MOSFET是用起亞公司先進(jìn)的平面條紋數(shù)字多用表(DMOS)技術(shù)生產(chǎn)的先進(jìn)的特別為最小化通態(tài)電阻,提供優(yōu)良的切換性能,并能承受雪崩和整流模式下的高能脈沖。這些器件適用于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正,基于半橋拓?fù)洹?/span>


2.800V高壓MOS管10N80產(chǎn)品特征

RDS(on)=0.85ω@VGS=10V

低柵電荷(典型的63nC)

高韌性

快速交換能力

指定的雪崩能量

改進(jìn)的dv/dt能力

ESD改善能力


3.800V高壓MOS管10N80封裝

800V高壓MOS管,10N80,10A/800V


4.高壓MOS管的主要參數(shù)

型號(hào):KIA10N80H

工作方式:10A/800V

漏源極電壓:800V

柵源電壓:±25V

漏電流脈沖:40A

二極管峰值恢復(fù):4.5v/ns


5.800V高壓MOS管10N80產(chǎn)品 PDF附件

查看詳情,請(qǐng)點(diǎn)擊下圖有PDF詳細(xì)資料。

800V高壓MOS管,10N80,10A/800V


6.封裝工藝流程圖

800V高壓MOS管,10N80,10A/800V



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