FDP51N25供應商-FDP51N25參數中文資料 貨源穩定 -KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-11-28
1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V
2、低柵極電荷（典型的55nC）
3、低Crss（典型的63PF）
4、快速切換
5、100%雪崩試驗
6、提高dv/dt能力
漏源極電壓：250V
門源電壓：±30V
單脈沖雪崩能：1111MJ
雪崩電流：51A
重復雪崩能量：32MJ
KIA半導體專業做場效應管10幾年，一直是品質追求，我們產品都是經過10幾道工藝才制成成品。
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